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P沟道MOS管特点介绍以及工作原理

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林喜曦 发表于 2018-9-17 14:31:08 | 显示全部楼层 |阅读模式 打印 上一主题 下一主题
       改动栅压可以改动沟道中的电子密度,从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假定N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上恰当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

       p沟道mos管工作原理

       正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负。

图1.jpg

       1、Vds≠O的情况导电沟道构成后,DS间加负向电压时,那么在源极与漏极之间将有漏极电流Id流通,而且Id随Vds而增加.Id沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等,该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用,使沟道从漏极到源极逐渐变窄.当Vds增大到使Vgd=Vgs(TH),沟道在漏极左近呈现预夹断.

       2、Vds=0时,在栅源之间加负电压Vgs,由于绝缘层的存在,故没有电流,但是金属栅极被补充电而聚集负电荷,N型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动,表面留下带正电的离子,构成耗尽层,随着G、S间负电压的增加,耗尽层加宽。

       当Vgs增大到一定值时,衬底中的空穴(少子)被栅极中的负电荷吸收到表面,在耗尽层和绝缘层之间构成一个P型薄层,称反型层,这个反型层就构成漏源之间的导电沟道,这时的Vgs称为开启电压Vgs(th),Vgs到Vgs(th)后再增加,衬底表面感应的空穴越多,反型层加宽,而耗尽层的宽度却不再变化,这样可以用Vgs的大小控制导电沟道的宽度。

图2.jpg

       PMOS的Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,并非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

       广州飞虹主要研发、生产、经营:场效应管、三极管等半导体器件,专注大功率MOS管制造15年,咨询热线: 400-831-6077。

精彩评论2

bhzjr 发表于 2019-3-21 13:35:53 | 显示全部楼层
非常不错,分享一个
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电子学徒工 发表于 2020-1-12 17:09:09 | 显示全部楼层
谢谢楼主的分享,非常详细。
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